
IGFET的基本知识简介
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简介:
简介:IGFET(绝缘栅场效应晶体管)是一种半导体器件,以其高输入阻抗和电压控制特性著称。本文简要介绍其工作原理、结构特点及应用领域。
绝缘栅场效应管(IGFET)的基本知识:
1. 增强型NMOS管
在P型衬底上扩散两个N区,并在其表面加上SiO2绝缘层,再通过铝线引出电极。
2. 增强型PMOS管
于N型衬底中扩散两处P区,在其表面积累一层SiO2作为绝缘体,并利用铝线连接并导出电极。增强型NMOS和PMOS的工作原理基本一致,不过电流与电压的方向相反。
3. 增强型NMOS管工作原理
在正常操作条件下:
(1) 当VGS=0且 VDS=0时:漏源之间的两个背靠背PN结阻止了任何可能的电流流动,即iD≈0。
(2) 若VGS>0而仍保持VDS为零,则开始形成导电沟道。这一过程所需最小电压被称为开启电压(或阈值电压VT)。
当栅极与衬底之间施加垂直电场时,它会在漏源之间的P型硅表面产生电子层(反型层),从而连接两个N区并构成一个N型的导电通道。一旦形成沟道,并且在该结构上加入VDS电压,则会生成从漏至源极的电流iD。
当栅压为零时,不会出现任何传导路径。
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